V型石墨舟皿的作業(yè)原理主要基于其共同的結(jié)構(gòu)規(guī)劃、資料特性及工藝適配性，經(jīng)過物理支撐、熱傳導(dǎo)操控與化學(xué)維護(hù)機(jī)制，完結(jié)硬質(zhì)合金、半導(dǎo)體等資料的高精度燒結(jié)或鍍膜。以下是具體闡明：
一、物理支撐與限位：V型槽的精細(xì)定位
軸心精度保障
    V型槽的斜面規(guī)劃經(jīng)過幾許限位，保證燒結(jié)過程中硬質(zhì)合金段差圓棒/管的軸心偏差≤0.01mm。例如，在切削刀具制作中，這種精細(xì)定位可防止刀具旋轉(zhuǎn)時的跳動，提高加工精度。
異形件適配
    經(jīng)過替換不同規(guī)格的石墨片，舟皿可適配最小截面5mm×5mm的異形硬質(zhì)合金件。石墨片層疊裝置時，頂端與V型槽保持平行，保證段差部分均勻受力，防止部分應(yīng)力集中導(dǎo)致的開裂。
模塊化擴(kuò)展
    組合式規(guī)劃經(jīng)過螺紋桿銜接多個舟皿單元，合作限位裝置提高疊放氣密性。例如，在燒結(jié)異形合金件時，模塊化結(jié)構(gòu)可快速調(diào)整裝載空間，削減設(shè)備停機(jī)時間。
二、熱傳導(dǎo)操控：溫度均勻性與翹曲抑制
W型雙向斜槽的熱對稱性
    W型結(jié)構(gòu)使產(chǎn)品受熱愈加均勻，溫差波動≤3℃。在硬質(zhì)合金長條薄片燒結(jié)中，這種規(guī)劃可消除部分過熱導(dǎo)致的晶粒異常長大，提高資料韌性。
排氣通槽的氣體引導(dǎo)
    槽面設(shè)置的排氣通槽引導(dǎo)脫膠氣體沿預(yù)訂途徑逸出，防止部分氣壓過高導(dǎo)致的膠體殘留。例如，在氫氣脫膠工藝中，排氣通槽可使膠體殘留率從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的15%降至2%以下。
Λ形通槽的疊放優(yōu)化
    底面Λ形通槽與槽體結(jié)構(gòu)構(gòu)成空間互補效應(yīng)，疊放時上層舟皿的支撐凸起落入基層通槽內(nèi)，削減垂直方向空間占用。這種規(guī)劃使?fàn)t內(nèi)裝載量提高25%以上，同時下降石墨資料消耗約15%-20%。
三、化學(xué)維護(hù)：防滲碳與抗腐蝕
涂料層阻斷碳浸透
    V型槽和石墨片表面涂覆氮化硼等涂料層，厚度不小于0.18mm，可有效阻斷碳浸透。在硬質(zhì)合金燒結(jié)中，防滲碳規(guī)劃可防止產(chǎn)品表面硬度下降（滲碳層硬度下降約15%-20%）。
棱角維護(hù)槽的邊角防護(hù)
    底部支撐凸起與槽面交界處設(shè)置棱角維護(hù)槽，將產(chǎn)品與銳邊觸摸轉(zhuǎn)為平面觸摸，邊角破損率由傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的5.2%降至0.8%。例如，在燒結(jié)釹鐵硼磁體時，棱角維護(hù)槽可防止磁體邊角崩裂，提高良品率。
耐腐蝕性氣體環(huán)境適配
    在SiC外延成長爐中，石墨舟皿需接受1600℃/H2氣氛下的接連運行，HCl氣體腐蝕速率<0.1mg/cm2·h。這種耐腐蝕性保證了外延層厚度波動<±1.5%，滿意第三代半導(dǎo)體制作需求。
四、工藝適配性：多場景使用的中心邏輯
氫氣脫膠與真空燒結(jié)
    在硬質(zhì)合金加工中，舟皿需在氫氣氣氛中完結(jié)脫膠（500-800℃）和真空燒結(jié)（1400-1600℃）。V型槽的排氣規(guī)劃可加速膠體蒸發(fā)，同時石墨的化學(xué)慵懶防止與合金元素反響，保證成分安穩(wěn)。
半導(dǎo)體晶圓傳輸
    在12英寸晶圓ALD設(shè)備中，舟皿需滿意NAS 1638 Class 3級潔凈度標(biāo)準(zhǔn)（每立方米>0.5μm顆粒<1000個）。石墨的表面粗糙度Ra≤0.8μm，合作抗靜電規(guī)劃，可防止顆粒污染晶圓表面。
光伏電池片鍍膜
    在PERC電池片PECVD工藝中，舟皿需在5分鐘內(nèi)閱歷室溫→800℃→冷卻的劇烈溫變。其熱導(dǎo)率高達(dá)120W/(m·K)，可使表面溫差<±2℃，碎片率從0.5%降至0.02%，單線日產(chǎn)能打破7000片。